Hersteller Produktnummer:
CDMSJ22013.8-650 SL
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CDMSJ22013.8-650 SL-DG
Beschreibung:
SUPER JUNCTION MOSFETS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
500 Stück Neu Original Auf Lager
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CDMSJ22013.8-650 SL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1040 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1514-CDMSJ22013.8-650SL
CDMSJ22013.8-650 SL PBFREE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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